n沟道增强型是需要你在栅极加一个正电压，把下面p型半导体里的电子吸引到栅极下面，形成一个富集了电子的n型沟道，从而把s极和d极的n+区通过这个沟道链接起来，电子可以通过这个沟道自由往来s极和d极。
n沟道耗尽型是制作的时候已经在栅极底部的sio2里掺杂了很多正离子，不另加压的状态下，只靠正离子对于电子的吸引力就已经能在栅极下形成连接s和d的沟道，能让sd中的电子自由往来了，所以它的特性曲线，在不加压的状态下就已经存在id（漏电流）了。
主要区别就是在不给栅极加正压的时候，沟道是否已经形成。
不加压就已形成沟道的----耗尽型；
不加压无沟道：增强型。
如果还不理解的也可以发问是哪里不明白，我最近刚好在看这一块，可以互相促进。
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