增强型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面没有沟道存在。也就是说，对于NMOS，阈值电压大于0；PMOS，小于0。耗尽型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面已有沟道存在。也就是说，对于NMOS，阈值电压小于0；PMOS，大于0。通过改变有源区的掺杂浓度，控制栅极绝缘层厚度和选择某种功函数的栅极材料，可以制造出增强型或耗尽型的MOSFET。
